2025-06(6)
单粒子锁定 单粒子效应的一种，主要发生于CMOS器件中。CMOS器件的pnpn四层结构形成了寄生可控硅结构，正常情况下，寄生的可控硅处于高阻关闭状态。单个带电粒子入射产生的瞬态电流触发可控硅结构使其导通，由于可控硅的正反馈特性使电流不断增大，进入大电流再生状态，即导致锁定。对于典型器件，锁定电流高达安培量级。大电流导致器件局部温度升高，导致器件永久性性损坏。在航天工程中，防范单粒子锁定的措施主要有限流电阻、限流电路或系统重新掉电、上电等。
(撰写：韩建伟 修订： 审订： 都 亨)